Impact of Device Layout on Thermal Parameters and RF Performance of 90-nm SiGe HBTs

Autor:	Nelson E. Sepúlveda-Ramos, Jeffrey W. Teng, Adrian Ildefonso, Harrison P. Lee, Sunil G. Rao, John D. Cressler
Rok vydání:	2023
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 70:850-856
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/ted.2022.3232755
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e0df807850f03d0b11ef63fcfba454d https://doi.org/10.1109/ted.2022.3232755 Zobrazit plný text záznamu