VA-2 optimization of ion implanted GaAs low noise FET

Autor:	H. Yamasaki, H. Kanber, L. H. Hackett, E.T. Watkin, J. M. Schellenberg, Milton Feng, V.K. Eu
Rok vydání:	1983
Předmět:	Materials science business.industry Optoelectronics Electrical and Electronic Engineering business Electronic Optical and Magnetic Materials Low noise Ion
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 30:1598-1598
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/t-ed.1983.21390
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0dc9b608b5ec9a4d0cd3d1707dee3090 https://doi.org/10.1109/t-ed.1983.21390 Zobrazit plný text záznamu