Memtransistor Devices Based on MoS 2 Multilayers with Volatile Switching due to Ag Cation Migration (Adv. Electron. Mater. 8/2022)

Autor:	Matteo Farronato, Margherita Melegari, Saverio Ricci, Shahin Hashemkhani, Alessandro Bricalli, Daniele Ielmini
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Advanced Electronic Materials. 8:2270037
ISSN:	2199-160X
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d632214c0f4cd0be73417fd9d6c942f https://doi.org/10.1002/aelm.202270037 Zobrazit plný text záznamu Plný text