Opportunities in 3-D stacked CMOS transistors
Autor: | M. Radosavljevic, C.-Y. Huang, W. Rachmady, S.H. Seung, N. K. Thomas, G. Dewey, A. Agrawal, K. Owens, C. C. Kuo, C. J. Jezewski, R. Nahm, N. Briggs, T. A. Tronic, T. Michaelos, N. A. Kabir, B. Holybee, K. Jun, P. Morrow, A. Phan, S. Shivaraman, H. W. Then, V. Kapinus, M. K. Harper, P. D. Nguyen, K. L. Cheong, S. Ghose, K. Ganguly, C. Bomberger, J. M. Tan, M. Abd El Qader, A. A. Oni, P. Fischer, R. Bristol, M. Metz, S. B. Clendenning, B. Turkot, R. Schenker, M. J. Kobrinsky, J. Kavalieros |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Zdroj: | 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |