Effect of Furnace Preanneal and Rapid Thermal Annealing on Arsenic‐Implanted Silicon
| Autor: | D. L. Kwong, R. Kwor, C. C. Ho, S. Baumann, B. Y. Tsaur |
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| Rok vydání: | 1985 |
| Předmět: |
Silicon
Renewable Energy Sustainability and the Environment Annealing (metallurgy) Analytical chemistry chemistry.chemical_element Condensed Matter Physics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Ion Ion implantation chemistry Transmission electron microscopy Impurity Materials Chemistry Electrochemistry Irradiation Arsenic Nuclear chemistry |
| Zdroj: | Journal of The Electrochemical Society. 132:1201-1206 |
| ISSN: | 1945-7111 0013-4651 |
| DOI: | 10.1149/1.2114059 |
| Popis: | Etude de l'effet d'un prerecuit a basse temperature suivi d'un recuit thermique rapide sur Si implante par des ions As + de 80 keV (doses de 1×10 15 et 1×10 16 cm −2 ). Discussion des proprietes electriques de Si et de la distribution des impuretes dans Si recuit. Mesures de microscopie electronique en transmission, de retrodiffusion Rutherford et de canalisation |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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