| Autor: |
Djardiel Gomes Da Silva, José Robson da Costa Venâncio, Willian Oliveira Santos, Ketly dos Santos Nascimento, Nilton Ferreira Frazão, Francisco Carlos de Medeiros Filho |
| Rok vydání: |
2020 |
| Předmět: |
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| Zdroj: |
Educação, Ciência e Saúde. 7 |
| ISSN: |
2358-7504 |
| DOI: |
10.20438/ecs.v7i2.316 |
| Popis: |
A compreensao de novos materiais nanoestruturado e muito importante para o avanco tecnologico. Espera-se que a juncao de materiais provoque mudancas nas propriedades eletronicas em comparacao com as propriedades desses materiais isolados. Logo, estudar as propriedades fisicas apos a juncao de materiais sao importantes para criacao de instrumentos cada vez menores e melhores. Neste trabalho, utilizando calculos de primeiros principios, implementados com o formalismo da DFT no codigo computacional CASTEP, investigamos as propriedades eletronicas das heteroestrutura lateral (HSL) formadas pela juncao de planos baseados em dicalcogenetos de metal de transicao (TMDs). Como resultado foi visto que HSL apresenta caracteristica semicondutora de gap indireto. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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