Моделирование распределения потенциала в двух затворном КНИ КМОП нанотранзисторе с неравномерно-легированной рабочей областью
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.25682/niisi.2018.3.0022 |
| Popis: | Обсуждается 2D математическая модель распределения потенциала в неравномерно легированной рабочей области симметричного двух затворного КНИ КМОП нанотранзистора. Рассматривается вариант канала (считая от истока): высоколегированная область, переходная область, где концентрация легирования линейно зависит от протяженности переходной области и низколегированная области. Модель распределения потенциала строиться на основе аналитического решения 2D уравнения Пуассона с расширенными граничными условиями. Для моделирования вольт-амперных характеристик использовалась сформулированная в рамках зарядового разделения апробированная токовая модель с учетом модифицированного выражения для скорости насыщения. Из результатов моделирования получены оценки влияния на уровень тока насыщения транзистора следующих факторов: протяженности переходной области и уровня концентрации легирования высоколегированной области The 2D mathematical model for potential distribution in unevenly doping transistor worker area of symmetric double gate SOI CMOS nanotransistor is discussed. The option of the channel is considered (including from a source): the high-doping area, transitional area where concentration of doping linearly depends on the extent of transitional area and low-doping areas. The model for potential distribution based on analytical solution of the 2D Poisson equation with expanded boundary conditions. For modeling of volt-ampere characteristics the approved current model formulated within charging division taking into account the modified expression for saturation speed was used. From results of modeling estimates of influence on the level of saturation current of the transistor of the following factors are received: extents of transitional area and level of doping concentration of the high-doping area №3 (2018) |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|