The effect of mesa-stripe design parameters on the 975 nm laser diode output characteristics
| Autor: | Filonenko, Elena, Fomin, Alexey, Kryukov, Sergey, Nazhmetov, Salavat |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18721/jpm.153.346 |
| Popis: | The present work is devoted to evaluating the effect of mesa-stripe design parameters on the output characteristics of 975 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes with the emitting stripe width W = 100 µm and the cavity length L = 4 mm. The output power, threshold current, central wavelength, and full spectral width at half maximum values were analyzed when comparing the two variants of mesa-stripe design to determine the optimal etching depth of semiconductor structure. Two variants of the mesa-stripe design were obtained by plasma- chemical etching to different depths of the heterostructure. According to the results of the study for the mesa-stripe design formed by etching to the p-cladding layer of the laser heterostructure, a less scatter of the controlled parameters within a group of fabricated laser diodes and effective suppression of parasitic lateral modes in the LD cavity were revealed. В настоящей работе приведены результаты оценки влияния конструкции чипа на выходные характеристики лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs спектрального диапазона 975 нм с шириной полоска W = 100 мкм и длиной резонатора L=4 мм. При сравнении двух вариантов мезаполосковой конструкции анализировались значения выходной мощности, порогового тока, центральной длины волны и ширины спектра на полувысоте с целью определения оптимальной глубины травления полупроводниковой гетероструктуры. Два варианта мезаполосковой конструкции были получены плазмохимическим травлением канавок на разную глубину гетеророструктуры. По результатам исследования для конструкции мезаполоска, образованного травлением до слоя p-эмиттера лазерной гетероструктуры, был выявлен меньший разброс контролируемых параметров внутри группы изготовленных лазерных диодов и продемонстрировано эффективное подавление паразитных латеральных мод в резонаторе ЛД. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|