Instabilités dans les structures MOS 6H-SiC

Autor:	Gérard Guillot, Jean-Luc Autran, Thierry Billon, Claude Jaussaud, F. Seigneur, Bemard Balland, Christophe Raynaud
Rok vydání:	1994
Předmět:	Physics General Engineering General Physics and Astronomy Physical chemistry
Zdroj:	Journal de Physique III. 4:937-952
ISSN:	1286-4897 1155-4320
DOI:	10.1051/jp3:1994176
Popis:	Nous presentons une etude des differentes instabilites observees dans des structures MOS 6H-SiC de type p par differentes techniques de mesures de capacite, de charge et de courant ainsi que par TSIC (Thermally Stimulated Ionic Current). Les analyses de l'hysteresis et de la deformation des courbes capacite-tension montrent la presence simultanee d'etats d'interface rapides et de pieges d'oxyde, avec une densite en milieu de bande interdite de l'ordre de 5 a 7 ×1010 eV-1.cm-2 et un pic d'etats d'interface avoisinant les 3 ×1012 eV-1.cm-2 a E = Ev + 0,53 eV. Par ailleurs, les spectres TSIC mettent en evidence l'existence de charges mobiles en concentration de l'ordre de 1012 cm-2. Le comportement de la couche d'inversion est egalement etudie a differentes temperatures. Nous montrons que la generation de porteurs minoritaires est assistee par des defauts profonds de type centres de generation.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01a4c06994ef1ed04748176f5da6bc08 https://doi.org/10.1051/jp3:1994176 Zobrazit plný text záznamu