ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL PROPERTIES OF CdS/Cd1-xMnxTe HETEROJUNCTIONS
| Autor: | Petru GAŞIN, Valentina NICORICH, Snejana CUZNETSOVA, Petru KETRUSH, Victor SUMAN |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Exacte si Economice, Vol 0, Iss 2 (82) (2015) |
| ISSN: | 2345-1033 1857-2073 |
| Popis: | Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd1-xMnxTe heterojunction at different temperatures from 293 K to 393 K were studied. The potential barrier at 293 K makes 0,78 V and is linearly decreasing with temperature increase with a temperature coefficient of 5,5·10-3 V·K-1. From lnIinv= f(1/T) dependence at U=1V the activation energy of 0,61 eV was determined. CdS/Cd0,6Mn0,4Te heterojunction spectral sensitivity at 300 K covers the wavelength region.PROPRIERĂŢILE ELECTRICE ŞI FOTOELECTRICE ALE HETEROJONCŢIUNILOR CdS/Cd1-xMnxTeÎn intervalul de temperaturi de la 293K până la 393K au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale hetero-joncţiunilor CdS/Cd1-xMnxTe. La 293K potenţialul de difuzie constituie 0,78 V şi cu creşterea temperaturii mărimea lui se micşorează linear cu coeficientul termic egal cu 5,5·10-3 V·K-1. Din dependenţa lnIinv= f(1/T) la tensiunea de 1V a fost determinată energia de activare care este egală cu 0,61 eV. Spectrele fotoconductibilităţii denotă că la 300 K hetero-joncţiunile CdS/Cd0,6Mn0,4Te sunt fotosensibile în regiunea de lungimi de undă 0,52÷0,83µm. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|