4H-SiC P-N junctions realized by VLS for JFET lateral structures

Autor: Sejil, Selsabil, Laariedh, Farah, Lazar, Mihai, Carole, Davy, Brylinski, Christian, Planson, Dominique, Ferro, Gabriel, Raynaud, Christophe, Morel, Hervé
Přispěvatelé: Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2014
Předmět:
Zdroj: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
ECSCRM'14
ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-61
Popis: International audience; Lateral JFET transistors have been fabricated with N and P-type channels tentatively integrated monolithically on the same SiC wafer. Buried P+ SiC layers grown by Vapor-Liquid-Solid (VLS) selective epitaxy were utilized as source and drain for the P-JFET and as gate for the N-JFET. The ohmicity of the contacts, both on VLS grown P+ and ion implanted N+ layers, has been confirmed by Transfer Length Method (TLM) measurements. A premature leakage current is observed on the P/N junction created directly by the P+ VLS gate layer, probably due to imperfect VLS (P+) / CVD (N+) SiC interface.
Databáze: OpenAIRE
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