Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Autor: Voytsekhovskiy, Alexander V., Kokhanenko, Andrey P., Lozovoy, Kirill A., Kalin, Eugeniy A., Satdarov, Vadim G.
Přispěvatelé: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2012
Předmět:
Zdroj: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 271-272
Databáze: OpenAIRE