Тунельні пристрої із двохзонним ізолятором на основі нанорозмірних контактів надпровідних і феромагнітних шарів
| Autor: | Belogolovskii, M. A., Larkin, S. Y., Khachaturov, A. I., Khachaturova, T. A. |
|---|---|
| Jazyk: | ruština |
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: |
наноелектроніка
гетероструктуры зонная структура band structure магнетосопротивление наноэлектроника туннелирование ферромагнетизм магнетоопір nanoelectronics heterostructures tunneling ferromagnetism magnetoresistance erromagnetism Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect Condensed Matter::Materials Science феромагнетизм зонна структура гетероструктури 539.292 [621.382] Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons тунелювання |
| Zdroj: | Electronics and Communications : научно-технический журнал, № 1(72) Electronics and Communications; Том 18, № 1 (2013); 9-13 Электроника и Связь; Том 18, № 1 (2013); 9-13 Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 1 (2013); 9-13 |
| ISSN: | 2312-1807 1811-4512 |
| Popis: | Within the two-band model of an insulator electron structure it is shown that an effect of the valence-band upper-edge effect on the, charge tunneling across nano-scaled layers of a magnetic dielectric results in a striking discrepancy between theoretical and experimental values of the magnetoresistance of double spin filters. It is found that the tunnel magnetoresistance of contacts formed by ferromagnetic Fe electrodes and a two-band insulator radically depends on the position of a chemical potential inside the forbidden gap of a dielectric.Reference 8, figures 2. В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, то туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика.Библ. 8, рис. 2. У рамках двозонної моделі електронної структури ізолятора показано, що урахування впливу верхнього краю валентної зони на тунелювання зарядів крізь нанорозмірні шари магнітного діелектрика приводить до усунення гігантської розбіжності між теоретичними й експериментальними значеннями магнетоопору подвійних спінових фільтрів. Встановлено, що тунельний магнетоопір контактів, утворених феромагнітними Fe електродами і двозонним ізолятором, радикально залежить від положення хімічного потенціалу усередині забороненої зони діелектрика.Бібл. 8, рис. 2. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|