Ordenamiento de bandas y efectos relativistas en la estructura electrónica del HgTe y CdTe

Autor: Hinostroza Vargas Machuca, Cristhian David, Rivera Riofano, Pablo Héctor
Jazyk: Spanish; Castilian
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Revista de Investigación de Física; Vol. 24 No. 3 (2021); 78-82
Revista de Investigación de Física; Vol. 24 Núm. 3 (2021); 78-82
Revistas Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Universidad Nacional Mayor de San Marcos
instacron:UNMSM
ISSN: 1728-2977
1605-7724
Popis: The topological materials permit transport of polarized charges through edge and surface states in2D y 3D systems. These edge and surfaces states are protected by topological symmetry order that isbased in spin-orbit coupling and in the invariance under time reversal operator.The main purpose of this work is to analyze the evolution of the surface state from HgTe and CdTealloys observing the band inversion and the effect of d atomic orbital on the band inversion and thespin-orbit coupling intensity.Results where obtained using density functional theory with a local spin density approximation andthe Hubbard correction (SLDA+U) considering relativistic effects and spin polarization.
Los materiales topológicos permiten el transporte de cargas polarizadas a través de estados de borde y superficie en sistemas 2D y 3D. Estos estados de borde y superficie están protegidos por la simetría de orden topológico basada en el acoplamiento espín-órbita y en la invarianza sobre el operador de reversión temporal. El propósito principal de este trabajo es analizar la evolución del estado de superficie en las aleaciones HgTe y CdTe observando la inversión de bandas y el efecto de los orbitales atómicos d en la inversión de las bandas y la intensidad del acoplamiento espín-órbita. Los resultados fueron obtenidos usando la teoría de funcionales de densidad con aproximación local de densidad de espín y la corrección de Hubbard (SLDA+U) considerando efectos relativistas y polarización de espín.
Databáze: OpenAIRE
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