Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT

Autor: Salvatierra, Lucas Matías, Kovalevski, Laura I., Dammig Quiña, Pablo L., Irurzun, Isabel M., Mola, Eduardo E., Herrera, Luis Alberto
Jazyk: Spanish; Castilian
Rok vydání: 2012
Předmět:
Zdroj: Energeia, 10(10)
Repositorio Institucional (UCA)
Pontificia Universidad Católica Argentina
instacron:UCA
ISSN: 1668-1622
Popis: Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería del Rosario. Instituto de Investigaciones en Ingeniería Ambiental, Química y Biotecnología Aplicada. Grupo de Biotecnología de Materiales y Medioambiente; Argentina Fil: Salvatierra, Lucas Matías. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Fil: Kovalevski, Laura I. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina Fil: Kovalevski, Laura I. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Fil: Dammig Quiña, Pablo L. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Fil: Irurzun, Isabel M. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Fil: Herrera, Luis Alberto. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina Fil: Herrera, Luis Alberto. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Fil: Mola, Eduardo E. Pontificia Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería; Argentina Fil: Mola, Eduardo E. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Ciencias Exactas. Instituto de Investigaciones Fisicoquímicas Teóricas y Aplicadas. Grupo de Sistemas Complejos; Argentina Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos y mecanismos de degradación que conllevan a una probable falla futura. Los geles dieléctricos han comenzado a ser ampliamente utilizados en aplicaciones de encapsulamiento de transistores de alta potencia tipo IGBTs (del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), donde se manejan tensiones y corrientes considerables. En la mayoría de los casos, se necesita una protección para evitar descargas en fase gaseosa, ingreso de humedad al circuito y amortiguamiento mecánico para vibraciones. En el presente trabajo caracterizamos con diferentes técnicas aspectos destacables de este tipo de encapsulantes a base de un gel bifásico de silicona. Para observar el proceso de curado se empleó la técnica de espectroscopía de absorción infrarroja (FTIR), junto con la reología oscilatoria desde las propiedades mecánicas. A su vez, esta última, sirvió para comparar información provista por un novedoso concepto que implica observar a estas últimas desde el interior, a partir de la evolución de cavidades gaseosas generadas eléctricamente. Se comprobó que el comportamiento de estas cavidades es sensible a la historia previa del material, es decir, mecanismos de curado y envejecimiento previo.
Databáze: OpenAIRE
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