Mask effect in nano-selective- area-growth by MOCVD on thickness enhancement, indium incorporation, and emission of InGaN nanostructures on AlN-buffered Si(111) substrates
| Autor: | El Gmili, Y., Bonanno, P., Sundaram, S., Li, Xiaojian, Puybaret, R., Patriarche, G., Pradalier, C., Decobert, J., Voss, P., Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, A. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Georgia Tech Lorraine [Metz], Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Georgia Institute of Technology [Atlanta]-CentraleSupélec-Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Optical Materials Express Optical Materials Express, OSA pub, 2017, 7 (2), ⟨10.1364/OME.7.000376⟩ |
| ISSN: | 2159-3930 |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|