Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN
| Autor: | CONTRERAS, Sylvie, KONCZEWICZ, Leszek, JUILLAGUET, Sandrine, PEYRE, Herve, Al khalfioui, Mohamed, Matta, Samuel, Leroux, Mathieu, Damilano, Benjamin, GIL, Bernard, Brault, Julien |
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| Přispěvatelé: | Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Semi-conducteurs: Graphène, Grand gap & Photovoltaïque (SMC), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | International Workshop on Nitride Semiconductor International Workshop on Nitride Semiconductor, Nov 2018, Kanazawa, Japan |
| Popis: | Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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