Al2O3/InGaAs interface study on MOS capacitors for a 300mm process integration
| Autor: | Billaud, M., DUVERNAY, J., Grampeix, H., Pelissier, B., Martin, M., Baron, T., Boutry, H., Chalupa, Z., Cassé, M., Ernst, T., Vinet, M. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | EUROSOI-ULIS 2015 : 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon EUROSOI-ULIS 2015 : 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Jan 2015, Bologna, Italy. pp.113-116, ⟨10.1109/ULIS.2015.7063786⟩ |
| Popis: | International audience; Al 2 O 3 /InGaAs interface has been studied and optimized for a 300mm compatible process. XPS analysis and electrical measurements of MOS capacitors revealed that a NH4OH treatment associated with TMA precursor pulse before the ALD deposition is efficient to remove InGaAs oxides. This yields to a good Al 2 O 3 /InGaAs interface quality with a low D it value (~3×10 12 cm -2 eV -1 ), and passivated border traps. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|