Role of H2 plasma in PE-MOCVD of GeTe materials for Phase Change Memory Applications

Autor:	Dussault, L., Vallée, Corentin, Gourvest, E., Jourde, D., Maitrejean, S., Michallon, P.
Přispěvatelé:	Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2012
Předmět:	ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	MAM 2012 MAM 2012, Mar 2012, Grenoble, France
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::da44dd009f0aa0344cffdf6ea329ee59 https://hal.science/hal-00669530 Zobrazit plný text záznamu