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Das Ferromagnet-Halbleiter-System \(Fe_{3}Si/GaAs\), das ein möglicher Kandidat für die Realisierung der Spininjektion in magnetoelektronische Bauelemente ist, wird bezüglich seiner strukturellen und magnetischen Eigenschaften und deren Korrelation untersucht. Vorangehend wird die Schichtmorphologie durch eine geeignete Wahl der Wachstumsparameter und durch thermische Nachbehandlung unter Beobachtung mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) optimiert. Des Weiteren wird STM auf atomarer Skala zwecks der Bestimmung der elektronischen Struktur sowie zur Defektanalyse eingesetzt. Aussagen über die schichtdickenabhängigen magnetischen Momente und Anisotropiebeiträge können durch SQUID-Magnetometrie, MOKE und FMR gemacht werden. Abweichungen vom ferromagnetischen Verhalten geschlossener Schichten werden bei niedriger Bedeckung beobachtet, wobei sich das System wie superparamagnetische Nanopartikel verhält. |
