In situ TEM study of the evolution of CoSi$_2$ precipitates during annealing and ion irradiation

Autor: Palard, M., Ruault, M.O., Bernas, H., Strobel, M., Heinig, K.H.
Přispěvatelé: Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Lorgeril, Jocelyne
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 1997
Zdroj: Microscopy of Semiconducting Materials
Royal Microscopical Society Conference
Royal Microscopical Society Conference, Apr 1997, Bristol, United Kingdom. pp.501-506
Databáze: OpenAIRE