Density functional theory study of the electronic structure of lattice-mismatched monoatomic heterostructures
| Autor: | Güler, Sena |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Dalgıç, Seyfettin, Fizik Anabilim Dalı |
| Jazyk: | turečtina |
| Rok vydání: | 2009 |
| Předmět: |
Bulk Heteroyapılar
Lattice Mismatched Semiconductors Effective Potential Fizik ve Fizik Mühendisliği Physics Örgü Sabiti Uyuşmayan Yarı İletkenler Bulk Heterostructures Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi Semiconductor device Efektif Potansiyel Semiconductors Heterojunction Physics and Physics Engineering Density Functional Theory |
| Popis: | Bu çalışmada (001) yönünde tekli ve ikişer katmanlı olarak modellenmiş Si/Ge bulk heteroyapının taban durumdaki örgü sabiti, toplam enerjisi ve ortalama efektif potansiyeli yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmiştir. Hesaplamalar, temeli Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi'ne dayanan Düzlem Dalga Öz Uyum Alan Programı kullanılarak yapılmıştır. Hesaplamaların sonucunda Si ve Ge'un efektif potansiyelleri arasında belirgin bir fark olduğu görülmüştür. Bu sonuç Si ve Ge gibi malzemelerin kuantum kuyularının üretilmesinde kullanılmasını sağlar. Bundan dolayı, bu sistem elektronik ve opto-elektronik aletlerin yapımında önemli bir role sahiptir. In this study, at the ground state, lattice constant, total energy and average effective potential of Si/Ge bulk heterostructure which are modeled as monolayer and bilayer in the (001) direction have been investigated by using Density Functional Theory. The calculations have been done by using Plane Wave Self Consistent Field Program based on Density Functional Theory. An obvious different between effective potentials of Si and Ge has observed in the result of calculations. It has provided to use in make of quantum wells of materials such as Si and Ge. Therefore, it has an important role in invent of electronic and opto-electronic devices. 77 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|