Phosphorous doped (110) homoepitaxial diamond films : influence of the substrate miscut angle on growth and electrical transport
| Autor: | BALASUBRAMANIAM, Y., ROBAEYS, P., JANSSENS, S.D., D'Haen, J., Soltani, A., Nesladek, M. |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2012 |
| Zdroj: | International Conference on Diamond and Carbon Materials, ICDCM 2012 International Conference on Diamond and Carbon Materials, ICDCM 2012, 2012, Granada, Spain |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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