Study of Metallic Interfaces Etching for High-K Metal Gate stacks in CMOS 28 nm Technology

Autor: Chave, F., Vallier, L., Gouraud, P., Baudot, S., Camille Petit-Etienne, Vérove, C., Joubert, O.
Přispěvatelé: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2011
Předmět:
Zdroj: AVS 58th International Symposium and Exhibition
AVS 58th International Symposium and Exhibition, Oct 2011, Nashville, United States
HAL
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE