Parasitic Elements Extraction of the GaN HEMT Packaged Power Transistors based on S-parameter measurements

Autor:	Bouchour, Al Mehdi, Dherbécourt, Pascal, Oualkadi, Ahmed El, Latry, Olivier
Přispěvatelé:	Laboratoire des Technologies de l'Information et de la Communication (Labtic), Ecole Nationale des Sciences Appliquées [Tanger] (ENSAT), Groupe de physique des matériaux (GPM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2020
Předmět:	[PHYS]Physics [physics] [SPI]Engineering Sciences [physics] ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	2020 International Symposium on Advanced Electrical and Communication Technologies (ISAECT) 2020 International Symposium on Advanced Electrical and Communication Technologies (ISAECT), Nov 2020, Marrakech, Morocco. pp.1-6, ⟨10.1109/ISAECT50560.2020.9523645⟩
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ca0fca63f95ca81bccfe2d53889c8420 https://hal-normandie-univ.archives-ouvertes.fr/hal-03354896 Zobrazit plný text záznamu