Filtre réjecteur accordable monolithique en technologie GaN
| Autor: | Kamoun, Leila, Kerhervé, Eric, Dueme, Philippe, Plaze, Jean-Philippe, Godara, Balwant |
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| Přispěvatelé: | Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Institut Supérieur d'Electronique de Paris (ISEP) |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Filtre réjecteur accordable monolithique en technologie GaN Filtre réjecteur accordable monolithique en technologie GaN JNM 2013 JNM 2013, May 2013, PARIS, France. pp.1-4 |
| Popis: | National audience; Le circuit présenté dans cet article est un filtre réjecteur large bande pouvant fonctionner selon deux modes : un mode réjecteur accordable en bande X et un mode " passe-tout ". Un prototype à un seul résonateur, implémenté en technologie GaN, permet d'obtenir deux positions en mode réjecteur avec une première bande rejetée centrée sur 10.5 GHz, une seconde bande rejetée centrée sur 11.5 GHz, ainsi qu'un mode passe-tout permettant de laisser passer le signal RF dans une bande allant du continu à 25 GHz. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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