A Circuital Model of Switching Behaviour of 4H-SiC P+-N-N+ Diodes Valid at any Current and Temperature

Autor:	Bellone, Salvatore, Della Corte, F., DI BENEDETTO, Luigi, Licciardo, GIAN DOMENICO
Rok vydání:	2013
Předmět:	4H Polytype of Silicon Carbide (4H-SiC) P-i-n diodes
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c68124c9b6ba5f058144bbca98b72aa5 http://hdl.handle.net/11386/3985052 Zobrazit plný text záznamu