Preindustrial GaN devices developed at the nanofabrication center of IEMN: [Invited]

Autor:	Harrouche, K, Rili, W, Carneiro, E, Mehta, J, Abid, I, Medjdoub, F
Přispěvatelé:	Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), WIde baNd gap materials and Devices - IEMN (WIND - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), projet DGA GREAT, Renatech Network, PCMP CHOP
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2021
Předmět:	[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	Transducers 2021 Transducers 2021, Jun 2021, online, France
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bd079342e50ec6afcd06e7db70bb1590 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03256885 Zobrazit plný text záznamu