Advanced concepts of photovoltaics based on III-V compounds

Autor: Olivier Durand, Mickael da Silva, Yanping Wang, Charles Cornet, Antoine Létoublon, Christophe Levallois, Alain Rolland, Jacky Even, Laurent Pedesseau, Soline Boyer-Richard, Pierre Râle, Laurent Lombez, Jean-François Guillemoles, Samy Almosni, Fabien Mandorlo, Mustapha Lemiti
Přispěvatelé: Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), School of Engineering and Science [Bremen] (JU-SES), Jacobs University [Bremen], INL - Photovoltaïque (INL - PV), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2016
Předmět:
Zdroj: 16th International Conference of Physical Chemistry (ROMPHYSCHEM-16)
16th International Conference of Physical Chemistry (ROMPHYSCHEM-16), Sep 2016, Galaţi, Romania
HAL
Popis: International audience; With 25.6% conversion efficiency, solar cells based on the c-Si generation reach their limits. However, the third generation solar cells, such as multijunction solar cells and hot-carrier solar cells (HCSCs), allow to overcome the intrinsic limit of a single junction. Firstly, we show the first stage developments of a GaAsPN/Si tandem cell on Si, which benefit from the low cost and technological maturity of Si cells. The GaAsPN dilute-nitride compound, grown by MBE, is quasi lattice-matched with Si, and displays the required the required 1.7 eV pseudo-bandgap. Secondly, HCSCs aim to reduce the thermalization process which is a major loss in a classical PV cells. This can be done by the reduction of the electron-phonons interactions in quantum wells (QWs) structures. Therefore, we have investigated a InGaAsP multi-QWs heterostructure epitaxially grown on a InP(001) substrate and demonstrate its potential to work as a hot carrier cell absorber. Finally, some outstanding properties of the hybrid organic perovskites, a very new technology which has quickly reached conversion efficiency larger than 20%, will be presented, along with results from a collaboration between FOTON laboratory, Los Alamos National Laboratory, Rutgers University New Jersey, Purdue university, Brookhaven National Laboratory and Chemical Sciences Institute of Rennes.
Databáze: OpenAIRE
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