Generation of 90-fs pulse from a modelocked diode-pumped Yb3+:Ca4GdO(BO3)3 laser

Autor: Druon, Frédéric, Balembois, François, Georges, Patrick, Brun, Alain, Courjaud, A., Honninger, C., Salin, F., Aron, A., Mougel, Frédéric, Aka, Gérard, Vivien, Daniel
Přispěvatelé: Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique / Elsa, Laboratoire Charles Fabry de l'Institut d'Optique (LCFIO), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'Etudes Lasers Intenses et Applications (CELIA), Université de Bordeaux (UB)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Chimie Appliquée de l'État Solide (LCAES), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut d'Optique Graduate School (IOGS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Bordeaux (UB)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2000
Předmět:
Zdroj: Optics Letters
Optics Letters, 2000, 25 (6), pp.423-425
Optics Letters, Optical Society of America-OSA Publishing, 2000, 25 (6), pp.423-425
ISSN: 0146-9592
1539-4794
Popis: International audience; A diode-pumped Yb31:Ca4GdO_BO3_3 (Yb:GdCOB) laser generating 90-fs pulses at a center wavelength of 1045 nm is demonstrated. This is, to our knowledge, the shortest pulse duration obtained from an ytterbium laser with a crystalline host. This laser is mode locked with a high-finesse semiconductor saturable-absorber mirror and emits 40 mW of average power at a repetition rate of 100 MHz
Databáze: OpenAIRE