Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente

Autor: Hurtado Salinas, Daniel, Bustamante Domínguez, Angel, León Felix, Lizbet, De los Santos Valladares, Luis, Majima, Yutaka
Jazyk: Spanish; Castilian
Rok vydání: 2010
Předmět:
Zdroj: Revista de Investigación de Física; Vol. 13 No. 01 (2010); 1-7
Revista de Investigación de Física; Vol. 13 Núm. 01 (2010); 1-7
Revistas Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Universidad Nacional Mayor de San Marcos
instacron:UNMSM
ISSN: 1605-7724
1728-2977
Popis: In this work, we study the crystallization and surface morphology of Cu thin films (exposed to environment) growth on SiO2/Si subsstrates. The samples thermally treated using a tubular furnace bet ween temperature range 250-1000ºC during an elapsed time of 3 hours, after was cooling to a rate of 1.4ºC/min. The crystalization process was measured by X-ray difraction (XRD), meanwhile the surface morphology was observed with scanning electron microscopy (SEM). The results was analyzed and permit us to know the temperature dependecy of the dynamics of surface atoms on the Cu/SiO2 system, are the range between 400-500ºC. During the annealing an oxidation process on sample surfaces occur and the presence of Cu silicides are detected.
En este trabajo se estudia la morfología y cristalización de la superficie de películas delgadas de Cu (expuestos al medio ambiente) sobre sustratos de SiO2/Si. Las muestras fueron sometidas a tratamientos térmicos mediante el uso de un horno tubular, en un rango de temperaturas comprendidas entre 250ºC y 1000ºC durante 3 horas para luego ser enfriadas a razón de 1.4ºC/min. La cristalización de las muestras luego de los tratamientos térmicos fueron caracterizadas mediante difracción de Rayos X (DRX), mientras que la morfología de la superficie se analizo usando Microscopia Electrónica de Barrido (MEB). Los resultados obtenidos fueron analizados y encontramos que la temperatura de recocido mas optima que mejor la dirección (111) en la pelicula de cobre y que permite conocer la dinámica de los átomos de la superficie del sistema Cu/SiO2 con respecto a la temperatura, está comprendida en el rango de 400 y 500ºC. Durante todo el proceso de recocido las superficies de las muestras se oxidan y notamos la presencia de siliciuros de cobre
Databáze: OpenAIRE
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