Breakdown mechanisms in advanced SiGe HBTs: scaling and TCAD calibration

Autor:	Rosenbaum, Tommy, Céli, Didier, Schröter, Michael, Maneux, Cristell
Přispěvatelé:	Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Institute of Circuits and Systems [Dresden] (ICS), Technische Universität Dresden (TUD), DENG, Marina, Technische Universität Dresden = Dresden University of Technology (TU Dresden)
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2015
Předmět:	[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	Bipolar ArbeitsKreis Bipolar ArbeitsKreis, Nov 2015, Unterpremstätten, Austria
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b6540424b428e6709d5c63109cf6669f https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02511642 Zobrazit plný text záznamu