Propriétés électriques des diodes Schottky en Polymères

Autor: Aziz, Abdelhak, Kassmi, Khalil, Maimouni, Rabah, Olivié, François, Sarrabayrouse, Gérard, Martinez, Augustin
Přispěvatelé: Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Laboratoire d'Electronique Appliquée et d'Automatique (LEAA), Université Mohamed Premier, IRISA – IETR – LTSI, Alexandre Vautier, Sylvie Saget, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Jazyk: francouzština
Rok vydání: 2005
Předmět:
Zdroj: MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, pp.116-122
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC, IRISA – IETR – LTSI, Nov 2005, Rennes, France. pp.116-122
Popis: Le travail présenté dans cette communication concerne la réalisation et la caractérisation électrique (courant-tension I/V) des diodes Schottky en polymère (P3OT) de type P. Les résultats obtenus montrent que les structures réalisés sont stables : après plusieurs passages I/V, les caractéristiques obtenues passent par la même courbe. Concernant le mécanisme de conduction de ces structures, nous avons montré qu'il peut être modélisé par celui des structures Schottky inorganique (Silicium) en régime direct : se manifeste le mécanisme de conduction par effet Thermoélectronique et Fowler-Nordheim. L'ensemble des résultats obtenus montre d'une part la faisabilité du processus technologique de réalisation des diodes Schottky en polymère, et d'autre part une contribution intéressante permettant une meilleure compréhension du mécanisme de conduction des polymères.
Databáze: OpenAIRE
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