[Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability

Autor: De Jaeger, J.C., Hoel, V., Lesecq, M., Defrance, N., Lecourt, F., Douvry, Y., Gaquière, Christophe, Maher, H., Bouzid, S., Heuken, M., Giesen, C., Ketteniss, N., Behmenburg, H., Eickelkamp, M., Vescan, A., Cordier, Y., Ebongue, A.
Přispěvatelé: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2011
Zdroj: European Microwave Week, EuMIC, Workshop W09-Wideband GaN devices and applications
European Microwave Week, EuMIC, Workshop W09-Wideband GaN devices and applications, 2011, Manchester, United Kingdom
Databáze: OpenAIRE