Mathematical Approach and Optimisation of Nanometric Base Thickness for a SiGeC HBT dedicated to radiofrequency applications

Autor:	LAKHDARA, M., Latreche, S., Gontrand, Christian, Adelmann, C.
Přispěvatelé:	INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2014
Předmět:	[SPI]Engineering Sciences [physics] [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Zdroj:	Journal of Computer Technology and Application Journal of Computer Technology and Application, 2014, 259, pp.925-936
Popis:	International audience; no abstract
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ab37a33018b2e74b2083f3e5e3755810 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01489896 Zobrazit plný text záznamu