CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCȚIUNEA n+CdS-po-p+InP: APLICĂRI TEHNOLOGICE, METODE ŞI REZULTATE ALE CERCETĂRILOR

Autor: Vasile BOTNARIUC, Ludmila GAGARA, Leonid GORCEAC, Boris CINIC, Andrei COVAL, Simion RAEVSCHI, Cornel ROTARU
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Exacte si Economice, Vol 0, Iss 2 (112) (2018)
ISSN: 2345-1033
1857-2073
Popis: Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial poInP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul poInP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maxi­mală a CF cu structura n+CdS-po-p+InP fiind de 14,6% (100 mW×cm-2).PHOTOVOLTAIC CELLS WITH n+CdS-po-p+InP HETEROJUNCTION: TEHNOLOGICAL APPLICATIONS, METHODS AND RESEARCH RESULTSPhotovoltaic cells (PVC) with nCdS-pInP heterojunction and an intermediate poInP epitaxial layer were obtained and their electrical and photoelectric properties were investigated. The thicknesses of the pInP layer and of the nCdS frontal layer varied in the range of 2.7 to 6.2 μm and 0.9 to 3.6 μm respectively, depending on the deposition time. It was found that photoelectric parameters have maximum values when the thickness of poInP layer is of 4.5 ... 5 μm and for nCdS layer is of 0.9 μm, the maximum efficiency of PCV with the structure n+CdS-po-p+InP was of 14.6% (100 mW×cm-2).
Databáze: OpenAIRE