The use of very thin active layer to improve the characteristics of TFTs based on not single crystalline semiconductors

Autor:	Samb, Mamadou Lamine, Dong, Hanpeng, Jacques, Emmanuel, Sissoko, G., Seidou-Maiga, A, Mohammed-Brahim, Tayeb
Přispěvatelé:	Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2015
Předmět:	[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Zdroj:	Conference on Thin Film Transistors ITC 2015 Conference on Thin Film Transistors ITC 2015, Feb 2015, Rennes, France
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a787912aa7a530d1d79c53d76234a3cf https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01121706 Zobrazit plný text záznamu