ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATION SEGMENTS IN PLASTICALLY DEFORMED SILICON

Autor:	OSSIPYAN, Y, KVEDER, V, STEINMAN, E
Rok vydání:	2016
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a5764bafe9f125d01e29b193c5f6753f https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:39443c31-e032-46fe-80da-6dad5461946e Zobrazit plný text záznamu