Импульсные транспортные свойства тринитридов
| Autor: | Bol, K., Moskaliuk, V. |
|---|---|
| Jazyk: | ruština |
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: |
междолинной релаксации
нитриды индия multivalley semiconductors aluminium nitride gallium nitride indium nitride „overshoot” of drift velocity times of momentum energy relaxation intervalley relaxation нитриды алюминия часи релаксації імпульсу нітриди індію многодолинные полупроводники багатодолинні напівпровідники нітриди алюмінію галію індію «сплеск» дрейфовой швидкості енергії міждолинне релаксації времена релаксации импульса нитриды галлия «всплеск» дрейфовой скорости энергии 621.383 галлия индия нітриди галію |
| Zdroj: | Electronics and Communications: научно-технический журнал Electronics and Communications; Том 19, № 5 (2014); 26-31 Электроника и Связь; Том 19, № 5 (2014); 26-31 Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 5 (2014); 26-31 |
| ISSN: | 2312-1807 1811-4512 |
| Popis: | Based on relaxation equations of energy balance, momentum and occupation of valleys was modelling the transitional effect „overshoot” of drift velocity in threenitrids on the example of aluminium nitride, gallium nitride, indium nitride. The possibility of multiple exceeding over the stationary values.References 3, figures 2, tables 1 Используя релаксационные уравнения баланса энергии, импульса и заселенности долин проведено моделирование нестационарного эффекта «всплеска» скорости дрейфа в тринитридах (AIIIN). Показана возможность многократного превышения скорости над стационарными значениями.Библ.5, рис. 3, табл.1. Використовуючи релаксаційні рівняння балансу енергії, імпульсу і заселеності долин проведено моделювання нестаціонарного ефекту «сплеску» швидкості дрейфу в трінітрідах (AIIIN). Показана можливість багаторазового перевищення швидкості над стаціонарними значеннями.Бібл. 3, рис. 2, табл. 1. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|