AlN/SI interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides
| Autor: | Cutivet, Adrien, Agboton, Alain, Altuntas, Philippe, Lecourt, François, Lesecq, Marie, Defrance, N., Cordier, Yvon, Chmielowska, Magdalena, Rennesson, Stephanie, Camus, Julien, Aït Aïssa, Keltouma, Le Brizoual, Laurent, Djouadi, Mohamed Abdou, de Jaeger, Jean-Claude, Boone, F., Hassan, Maher |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2013 |
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| Zdroj: | Proceedings of 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.37-38 |
| Popis: | From the characterization of structure equivalent loss tangent under different conditions (bias and temperature) obtained through propagation constant and characteristic impedance extraction of CPW line, we propose a coherent analysis of the properties of an AlN/Si interface featured with a GaN on Si HEMT technology. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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