120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax
| Autor: | Gardes, C., BAGUMAKO, S.M., Desplanque, L., Wichmann, N., Danneville, F., Bollaert, S., Wallart, X., Roelens, Y. |
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| Přispěvatelé: | Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2013 |
| Zdroj: | Proceedings of 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-25, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562604⟩ |
| DOI: | 10.1109/ICIPRM.2013.6562604⟩ |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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