Influence des paramètres de croissance de l'homoépitaxie silicium par UHV- CVD sur la reconstruction de surface du silicium

Autor: Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Rohel, Tony, Tavernier, Karine, Lucci, Ida, Léger, Yoan, Cornet, Charles
Přispěvatelé: Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Jazyk: francouzština
Rok vydání: 2020
Předmět:
Zdroj: Journées Nanomatériaux
Journées Nanomatériaux, Jan 2020, Rennes, France
Popis: International audience; Le développement de composants III-V monolithiquement intégrés sur silicium nécessite la maitrise des défauts cristallins générés à l’interface III-V/Si. La qualité de la surface du substrat de silicium et la structuration des dimères de silicium semblent jouer un rôle prépondérant dans la formation de certains défauts cristallins, tels que les parois d’antiphase. Nous verrons que la préparation de surface du substrat de silicium ainsi que l’épitaxie d’un buffer de silicium par UHV-CVD sont indispensables pour contrôler les défauts générés à l’interface III-V/Si. Après une présentation de l’équipement UHV-CVD et de ses possibilités, nous montrerons l’influence des paramètres de croissance sur le réarrangement des dimères de silicium en surface. Nous verrons qu’il est possible de favoriser la formation de marches monoatomiques ou biatomiques, selon la désorientation du substrat. Nous présenterons également des essais d’optimisation de dopage d’homoépitaxies silicium, en vue de la réalisation de jonction P-N silicium.
Databáze: OpenAIRE
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