Design Options for Hetero-Junction Tunnel FETs with High on Current and Steep Sub-VT Slope

Autor:	Brocard, S., Pala, M.G., Esseni, D.
Přispěvatelé:	Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2013
Předmět:	indium compounds MOSFET III-V semiconductors nanowires tunnel transisors semiconductors heheterojunctions aluminium compounds gallium compounds [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Poisson equation ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	Techical Digest of the International Electron Devices Meeting 2013 IEDM 2013 IEDM 2013, Dec 2013, Washington, United States. pp.128-131, ⟨10.1109/IEDM.2013.6724567⟩
Popis:	International audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9718ab079128f8f3681d94e040b8a6dc https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01074151 Zobrazit plný text záznamu