InGaAs finFET patterning with damage free plasma etching process for the 5nm technological node
| Autor: | Bizouerne, M., Pargon, E., Burtin, P., Camille Petit-Etienne, Latu-Romain, E., Labau, S., David, S., Martin, M. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Clot, Marielle |
| Předmět: | |
| Zdroj: | HAL 65th International AVS Symposium & Topical Conferences 65th International AVS Symposium & Topical Conferences, Nov 2016, Nashville, USA, United States |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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