Degradation study of InGaAsN PIN solar cell under 1 MeV electron irradiation
| Autor: | Maxime Levillayer, Sophie Duzellier, Thierry Nuns, Christophe Inguimbert, Tifenn Lecocq, Inès Massiot, Alexandre Arnoult, Corinne Aircadi, Parola, S., Guilhem Almuneau, Laurent Artola |
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| Přispěvatelé: | ONERA / DPHY, Université de Toulouse [Toulouse], PRES Université de Toulouse-ONERA, Équipe Photonique (LAAS-PHOTO), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique (M@CSEE), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Almuneau, Guilhem, ONERA-PRES Université de Toulouse, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: |
MJSC
PL DLTS [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic irradiation [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics electrons [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials dilute nitrides [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials solar cell Degradation EQE InGaAsN [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics |
| Zdroj: | RADECS 2020 RADECS 2020, Oct 2020, Virtual, France HAL |
| Popis: | International audience; Degradation of InGaAsN pinsubcell under 1MeV electron irradiation was studied by characterizing solar cells and dilute nitride bulklayers before and after irradiation. The measurements show that these cells retain more than 94% of their original photocurrent after an 1015cm-2 electron-irradiation. Moreover, no significant degradation of the optoelectronic properties is observed after irradiation |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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