Impact of hot carrier stress on small signal MOSFET RF parameters
| Autor: | Negre, L., Daniel Roy, Boret, S., Scheer, P., Kauffmann, N., Gloria, D., gerard ghibaudo |
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| Přispěvatelé: | Laboratoire SUBATECH Nantes (SUBATECH), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université de Nantes (UN)-Mines Nantes (Mines Nantes), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | IEEE Integrated Reliability Workshop IRW 2010 IEEE Integrated Reliability Workshop IRW 2010, 2010, Lake Tahoe, United States HAL |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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