Modélisation RLCG de lignes coplanaires sur un substrat Silicium pour applications CMOS

Autor:	Valorge, O., Calmon, F., Martine LE BERRE, Gontrand, C., Eid, E., Lacrevaz, T., Fléchet, B., Charbonnier, J., Connor, I. O.
Přispěvatelé:	Laboratoire de physique de la matière (LPM), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Domenget, Chahla
Jazyk:	francouzština
Rok vydání:	2010
Předmět:	[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Zdroj:	15e Compatibilité Electromagnétique CEM 2010 15e Compatibilité Electromagnétique CEM 2010, Apr 2010, Limoges, France HAL
Popis:	National audience
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8168cb6ee0be0720b285dd05bc13cca1 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00604508 Zobrazit plný text záznamu