Very High Sustainable Forward Current Densities on 4H-SiC p-n Junctions Formed by VLS Localized Epitaxy of Heavily Al-Doped p++ Emitters

Autor: Sejil, Selsabil, Lalouat, Loïc, Lazar, Mihai, Carole, Davy, Brylinski, Christian, Jomard, François, Planson, Dominique, Ferro, Gabriel, Raynaud, Christophe
Přispěvatelé: Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces ( LMI ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Ampère, Département Energie Electrique ( EE ), Ampère, École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Groupe d'Etude de la Matière Condensée ( GEMAC ), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines ( UVSQ ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), CTMM, Institut Charles Gerhardt Montpellier - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier ( ICGM ICMMM ), Université Montpellier 1 ( UM1 ) -Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques ( UM2 ) -Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier ( ENSCM ) -Université de Montpellier ( UM ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Montpellier 1 ( UM1 ) -Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques ( UM2 ) -Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier ( ENSCM ) -Université de Montpellier ( UM ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMAC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines (UVSQ)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Materials Science Forum
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2017, 897, pp.63-66. 〈10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63〉
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2017, 897, pp.63-66. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63⟩
ISSN: 0255-5476
1662-9760
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63〉
Popis: International audience; This study deals with the electrical characterization of PiN diodes fabricated on a 4°off-axis 4H-SiC n+ substrate with a n- epilayer (1×1016 cm-3 / 10 µm). Optimized p++ epitaxial areas were grown by Vapour-Liquid-Solid (VLS) transport to form p+ emitters localized in etched wells with 1 µm depth. Incorporated Al level in the VLS p++ zones was checked by SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy), and the doping level was found in the range of 1-3×1020 at.cm-3. Electrical characterizations were performed on these PiN diodes, with 800 nm deposit of aluminium as ohmic contact on p-type SiC. Electrical measurements show a bipolar behaviour, and very high sustainable forward current densities ≥ 3 kA.cm-2, preserving a low leakage current density in reverse bias. These measurements were obtained on structures without any passivation and no edge termination.
Databáze: OpenAIRE
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