Plasma etching of HfO2 in metal gate CMOS devices

Autor: Sungauer, E., Mellhaoui, X., Pargon, E., Joubert, O., Lill, T.
Přispěvatelé: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2009
Předmět:
Zdroj: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2009, pp.86, (2009), 965-967
Microelectronic Engineering, 2009, pp.86, (2009), 965-967
ISSN: 0167-9317
1873-5568
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE
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