GaP-based materials on silicon for photonics and energy
| Autor: | Cornet, Charles, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Ruiz, Alejandro, Beck, Alexandre, Pedesseau, Laurent, Léger, Yoan |
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| Přispěvatelé: | Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Smart NanoMaterials 2018: Advances, Innovation and Applications (SNAIA2018) Smart NanoMaterials 2018: Advances, Innovation and Applications (SNAIA2018), Dec 2018, Paris, France |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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